国产黄片自拍亚洲AV_国产素人搭讪精品视频_JIZZ少妇多水水蜜桃视频_日日躁夜夜躁狠狠躁aⅴ蜜_中国色猛少妇医院偷拍_日本不卡一级二级免费_黄色av免费观看_中文字幕无码第10页_永久免费A∨片在线观看天天影视综合网_五月天影院少妇av春色

IRLMS6702PBF-1

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 200.0mΩ
  • Qg(Typ): 5.8nC
  • Rth(JC): 75 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-16 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

MMBFJ270

MMBFJ270

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-16 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF9520NS

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 480.0mΩ
  • Qg(Typ): 18.0nC
  • Rth(JC): 3.1K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 3.8W
  • Id@TC 25C: -6.8A
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-16 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF4905L

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 20.0mΩ
  • Qg(Typ): 120.0nC
  • Rth(JC): 0.75K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 200W
  • Id@TC 25C: -74A
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-16 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF7606

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 90.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 150.0mΩ
  • Qg(Typ): 20.0nC
  • Rth(JC): 70 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-16 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF5305

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
  • Qg(Typ): 42.0nC
  • Rth(JC): 1.4K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 110W
  • Id@TC 25C: -31A
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-16 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

MMBF5462

MMBF5462

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:40 V
Maximum Drain Gate Voltage:-40 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-16 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF7406PBF-1

IRF7406PBF-1

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 45.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 70.0mΩ
  • Qg(Typ): 39.3nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-16 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRLML9303

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 165.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 270.0mΩ
  • Qg(Typ): 2.0nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-16 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

MMBFJ270_R2_00001

MMBFJ270_R2_00001

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-16 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRLR9343

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 105.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 170.0mΩ
  • Qg(Typ): 31.0nC
  • Rth(JC): 1.9K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 79W
  • Id@TC 25C: -20A
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-16 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF7204

IRF7204

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 100.0mΩ
  • Qg(Typ): 25.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-16 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRFHM9391

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 25V
  • RDS(on) Max@10V: 14.6mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 22.5mΩ
  • Qg(Typ): 32.0nC
  • Rth(JC): 3.8K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 33W
  • Id@TC 25C: -38A
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-16 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRFR5410

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 205.0mΩ
  • Qg(Typ): 38.7nC
  • Rth(JC): 1.9K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 66W
  • Id@TC 25C: 13A
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-16 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

2N5115JTXV02

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:30 V
Operating Temperature:-55 to 200 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-16 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管