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IRLML6401TRPBF-1

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -12V
  • Vgs: 8V
  • RDS(on) Max@4.5V: 50.0mΩ
  • Qg(Typ): 10.0nC
  • Rth(JC): 75 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-09 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF7420

IRF7420

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -12V
  • Vgs: 8V
  • RDS(on) Max@4.5V: 14.0mΩ
  • Qg(Typ): 38.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-09 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF9530NS

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 200.0mΩ
  • Qg(Typ): 38.7nC
  • Rth(JC): 1.9K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 3.8W
  • Id@TC 25C: -14A
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-09 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRFH9310

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.6m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 7.1mΩ
  • Qg(Typ): 58.0nC
  • Rth(JC): 1.6K/W
  • Id@TC 25C: -40A
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-09 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF6217PBF-1

IRF6217PBF-1

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2400.0mΩ
  • Qg(Typ): 6nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-09 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF9328

IRF9328

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 11.9mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 19.7mΩ
  • Qg(Typ): 18.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-09 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRLMS6702

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 200.0mΩ
  • Qg(Typ): 5.8nC
  • Rth(JC): 75 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-09 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF7424

IRF7424

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 13.5m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 22.0mΩ
  • Qg(Typ): 75.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-09 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF5210

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 60.0m?Ω
  • Qg(Typ): 120.0nC
  • Rth(JC): 0.75K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 200W
  • Id@TC 25C: -40A
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-09 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF7404

IRF7404

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 40.0mΩ
  • Qg(Typ): 33.3nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-09 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

MMBFJ177LT1G

MMBFJ177LT1G

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-09 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

J176_D26Z

J176_D26Z

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-09 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF7321D2

IRF7321D2

電氣特性 Features

  • 集成肖特基二極管的P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 62.0m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 98.0mΩ
  • Qg(Typ): 23.0nC
  • Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-09 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF9383M

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.9mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 4.8m?
  • Qg(Typ): 130.0nC
  • Rth(JC): 1.1K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 113W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-09 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRLMS6702PBF-1

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 200.0mΩ
  • Qg(Typ): 5.8nC
  • Rth(JC): 75 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-09 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管