国产黄片自拍亚洲AV_国产素人搭讪精品视频_JIZZ少妇多水水蜜桃视频_日日躁夜夜躁狠狠躁aⅴ蜜_中国色猛少妇医院偷拍_日本不卡一级二级免费_黄色av免费观看_中文字幕无码第10页_永久免费A∨片在线观看天天影视综合网_五月天影院少妇av春色

IRF9393

IRF9393

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 25V
  • RDS(on) Max@10V: 19.4mΩ
  • Qg(Typ): 14.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-16 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

PMBFJ176,215

PMBFJ176,215

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:35 mA
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:30 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-16 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRLML5203

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 98.0m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 165.0mΩ
  • Qg(Typ): 9.5nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-16 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF7205

IRF7205

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 70.0m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 130.0mΩ
  • Qg(Typ): 27.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-16 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF7404PBF-1

IRF7404PBF-1

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 40.0mΩ
  • Qg(Typ): 32.7nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-16 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRFU9024N

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 175mΩ
  • Qg(Typ): 12.7nC
  • Rth(JC): 3.3K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 38W
  • Id@TC 25C: -8A
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-16 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF7241

IRF7241

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 41.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 70.0mΩ
  • Qg(Typ): 53.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-16 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF4905L

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 20.0mΩ
  • Qg(Typ): 120.0nC
  • Rth(JC): 0.75K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 200W
  • Id@TC 25C: -74A
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-16 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRFU5505

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 110.0mΩ
  • Qg(Typ): 21.3nC
  • Rth(JC): 2.2K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 57W
  • Id@TC 25C: -18A
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-16 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRLIB9343

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 105.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 170.0mΩ
  • Qg(Typ): 31.0nC
  • Rth(JC): 3.84K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 33W
  • Id@TC 25C: -14A
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-16 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF6215

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 290.0mΩ
  • Qg(Typ): 44.0nC
  • Rth(JC): 1.4K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 110W
  • Id@TC 25C: -13A
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-16 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRLMS5703

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 200.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 400.0mΩ
  • Qg(Typ): 7.2nC
  • Rth(JC): 75 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-16 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRLML6402

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 65.0mΩ
  • Qg(Typ): 8.0nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-16 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRFH9310

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.6m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 7.1mΩ
  • Qg(Typ): 58.0nC
  • Rth(JC): 1.6K/W
  • Id@TC 25C: -40A
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-16 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRLMS6702

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 200.0mΩ
  • Qg(Typ): 5.8nC
  • Rth(JC): 75 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-16 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管