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IRF5210L

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
  • Qg(Typ): 120.0nC
  • Rth(JC): 0.75K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 200W
  • Id@TC 25C: -40A
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFU5305

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 65mΩ
  • Qg(Typ): 42nC
  • Rth(JC): 1.4K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 89W
  • Id@TC 25C: -18A
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

MMBF5461

MMBF5461

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:40 V
Maximum Drain Gate Voltage:-40 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF9530NS

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 200.0mΩ
  • Qg(Typ): 38.7nC
  • Rth(JC): 1.9K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 3.8W
  • Id@TC 25C: -14A
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFHM9331

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 25V
  • RDS(on) Max@10V: 14.6mΩ
  • Qg(Typ): 16.0nC
  • Rth(JC): 6.0K/W
  • Id@TC 25C: -24A
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF5210

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 60.0m?Ω
  • Qg(Typ): 120.0nC
  • Rth(JC): 0.75K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 200W
  • Id@TC 25C: -40A
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF5803D2

IRF5803D2

電氣特性 Features

  • 集成肖特基二極管的P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 112.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 190.0mΩ
  • Qg(Typ): 25.0nC
  • Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF9333

IRF9333

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 19.4mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 32.5mΩ
  • Qg(Typ): 14.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRLML2246

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 135.0mΩ
  • Qg(Typ): 2.9nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF7404PBF-1

IRF7404PBF-1

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 40.0mΩ
  • Qg(Typ): 32.7nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFU9120N

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 480mΩ
  • Qg(Typ): 18nC
  • Rth(JC): 3.2K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 39W
  • Id@TC 25C: -4.1A
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF9540N

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 117.0mΩ
  • Qg(Typ): 64.7nC
  • Rth(JC): 1.1K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 140W
  • Id@TC 25C: -23A
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF6216PBF-1

IRF6216PBF-1

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 240.0mΩ
  • Qg(Typ): 33nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF9Z34N

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 100.0mΩ
  • Qg(Typ): 23.3nC
  • Rth(JC): 2.7K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 56W
  • Id@TC 25C: -17A
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFR9120N

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 480.0mΩ
  • Qg(Typ): 18.0nC
  • Rth(JC): 3.2K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 39W
  • Id@TC 25C: -6.5A
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管