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IRF9317

IRF9317

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.6m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 10.2mΩ
  • Qg(Typ): 31.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場效應管 更新于 2025-12-13 Tag標簽:P溝道場效應管

IRF6217

IRF6217

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2400.0mΩ
  • Qg(Typ): 6.0nC
  • Rth(JC): 20K/W
P溝道場效應管 更新于 2025-12-13 Tag標簽:P溝道場效應管

IRFU5505

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 110.0mΩ
  • Qg(Typ): 21.3nC
  • Rth(JC): 2.2K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 57W
  • Id@TC 25C: -18A
P溝道場效應管 更新于 2025-12-13 Tag標簽:P溝道場效應管

IRFTS9342

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 40.0m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 66.0mΩ
  • Qg(Typ): 12.0nC
  • Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
P溝道場效應管 更新于 2025-12-13 Tag標簽:P溝道場效應管

IRF9321

IRF9321

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.2m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 11.2mΩ
  • Qg(Typ): 34.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場效應管 更新于 2025-12-13 Tag標簽:P溝道場效應管

IRF7726

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 26.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 40.0mΩ
  • Qg(Typ): 46.0nC
  • Rth(JC): 70 (JA)K/W
P溝道場效應管 更新于 2025-12-13 Tag標簽:P溝道場效應管

IRF9520N

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 480.0mΩ
  • Qg(Typ): 18.0nC
  • Rth(JC): 3.1K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 48W
  • Id@TC 25C: -6.8A
P溝道場效應管 更新于 2025-12-13 Tag標簽:P溝道場效應管

IRFR9120N

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 480.0mΩ
  • Qg(Typ): 18.0nC
  • Rth(JC): 3.2K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 39W
  • Id@TC 25C: -6.5A
P溝道場效應管 更新于 2025-12-13 Tag標簽:P溝道場效應管

IRF6217PBF-1

IRF6217PBF-1

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2400.0mΩ
  • Qg(Typ): 6nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場效應管 更新于 2025-12-13 Tag標簽:P溝道場效應管

IRF5806

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@4.5V: 86.0mΩ
  • Qg(Typ): 8.3nC
  • Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 2.0W
  • Id@TC 25C: -4.0A
P溝道場效應管 更新于 2025-12-13 Tag標簽:P溝道場效應管

IRFU9024N

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 175mΩ
  • Qg(Typ): 12.7nC
  • Rth(JC): 3.3K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 38W
  • Id@TC 25C: -8A
P溝道場效應管 更新于 2025-12-13 Tag標簽:P溝道場效應管

IRFU5410

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 205mΩ
  • Qg(Typ): 38.7nC
  • Rth(JC): 1.9K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 66W
  • Id@TC 25C: -8.2A
P溝道場效應管 更新于 2025-12-13 Tag標簽:P溝道場效應管

MMBFJ270_R1_00001

MMBFJ270_R1_00001

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P溝道場效應管 更新于 2025-12-13 Tag標簽:P溝道場效應管

IRLHS2242

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 31.0mΩ
  • Qg(Typ): 12.0nC
  • Rth(JC): 13K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 9.6W
  • Id@TC 25C: -15A
P溝道場效應管 更新于 2025-12-13 Tag標簽:P溝道場效應管

IRLML5103TRPBF-1

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 600.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 1000.0mΩ
  • Qg(Typ): 3.4nC
  • Rth(JC): 230 (JA)K/W
P溝道場效應管 更新于 2025-12-13 Tag標簽:P溝道場效應管