電氣特性 Features

• P溝道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 98.0m?,RDS(on) Max@4.5V: 165.0mΩ,Qg(Typ): 9.5nC,Rth(JC): 100 (JA)K/W

電氣特性 Features

• P溝道功率MOS管,Vbrdss: -20V,Vgs: 12V,RDS(on) Max@4.5V: 40.0mΩ,Qg(Typ): 32.7nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W

電氣特性 Features

• P溝道功率MOS管,Vbrdss: -55V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 20.0mΩ,Qg(Typ): 120.0nC,Rth(JC): 0.75K/W,Power Dissipation@TC 25C: 200W,Id@TC 25C: -74A

電氣特性 Features

• P溝道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 59.0m?,RDS(on) Max@4.5V: 110.0mΩ,Qg(Typ): 4.7nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W

電氣特性 Features