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IRLML6402

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 65.0mΩ
  • Qg(Typ): 8.0nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-11 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF7204

IRF7204

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 100.0mΩ
  • Qg(Typ): 25.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-11 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF7241

IRF7241

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 41.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 70.0mΩ
  • Qg(Typ): 53.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-11 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF9Z34NL

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 100.0mΩ
  • Qg(Typ): 23.3nC
  • Rth(JC): 2.2K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 68W
  • Id@TC 25C: -19A
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-11 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFU9120N

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 480mΩ
  • Qg(Typ): 18nC
  • Rth(JC): 3.2K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 39W
  • Id@TC 25C: -4.1A
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-11 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF5803D2

IRF5803D2

電氣特性 Features

  • 集成肖特基二極管的P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 112.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 190.0mΩ
  • Qg(Typ): 25.0nC
  • Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-11 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF9Z34NS

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 100.0mΩ
  • Qg(Typ): 23.3nC
  • Rth(JC): 2.2K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 68W
  • Id@TC 25C: 19A
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-11 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRLML6401TRPBF-1

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -12V
  • Vgs: 8V
  • RDS(on) Max@4.5V: 50.0mΩ
  • Qg(Typ): 10.0nC
  • Rth(JC): 75 (JA)K/W
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-11 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF4905L

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 20.0mΩ
  • Qg(Typ): 120.0nC
  • Rth(JC): 0.75K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 200W
  • Id@TC 25C: -74A
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-11 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFR5505

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 110.0mΩ
  • Qg(Typ): 21.3nC
  • Rth(JC): 2.2K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 57W
  • Id@TC 25C: -18A
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-11 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRLML6401

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -12V
  • Vgs: 8V
  • RDS(on) Max@4.5V: 50.0mΩ
  • Qg(Typ): 10.0nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-11 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRLML9303

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 165.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 270.0mΩ
  • Qg(Typ): 2.0nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-11 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

MMBFJ271

MMBFJ271

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-11 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF9392

IRF9392

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 25V
  • RDS(on) Max@10V: 17.5mΩ
  • Qg(Typ): 14.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-11 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRLIB9343

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 105.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 170.0mΩ
  • Qg(Typ): 31.0nC
  • Rth(JC): 3.84K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 33W
  • Id@TC 25C: -14A
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-11 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管