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IRFP9140N

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 117.0mΩ
  • Qg(Typ): 64.7nC
  • Rth(JC): 1.3K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 120W
  • Id@TC 25C: -21A
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-05 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF5210S

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
  • Qg(Typ): 120.0nC
  • Rth(JC): 0.75K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 170W
  • Id@TC 25C: -40A
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-05 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

MMBFJ270

MMBFJ270

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-05 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRLML6402TRPBF-1

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 65.0mΩ
  • Qg(Typ): 8.0nC
  • Rth(JC): 75 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-05 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF6215S

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 290.0mΩ
  • Qg(Typ): 44.0nC
  • Rth(JC): 1.4K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 110W
  • Id@TC 25C: -13A
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-05 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRFU5305

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 65mΩ
  • Qg(Typ): 42nC
  • Rth(JC): 1.4K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 89W
  • Id@TC 25C: -18A
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-05 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF7424

IRF7424

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 13.5m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 22.0mΩ
  • Qg(Typ): 75.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-05 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRFU6215

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 580mΩ
  • Qg(Typ): 44nC
  • Rth(JC): 1.4K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 110W
  • Id@TC 25C: -9A
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-05 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

MMBFJ175

MMBFJ175

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-05 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRLML2246TRPBF-1

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 135.0mΩ
  • Qg(Typ): 2.9nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-05 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF7726

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 26.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 40.0mΩ
  • Qg(Typ): 46.0nC
  • Rth(JC): 70 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-05 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF7404PBF-1

IRF7404PBF-1

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 40.0mΩ
  • Qg(Typ): 32.7nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-05 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

PMBFJ176,215

PMBFJ176,215

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:35 mA
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:30 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-05 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF9328

IRF9328

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 11.9mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 19.7mΩ
  • Qg(Typ): 18.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-05 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF7416

IRF7416

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 20.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 35.0mΩ
  • Qg(Typ): 61.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-05 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管