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IRF9Z24NS

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 175.0mΩ
  • Qg(Typ): 12.7nC
  • Rth(JC): 3.3K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 45W
  • Id@TC 25C: -12A
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRLMS6702PBF-1

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 200.0mΩ
  • Qg(Typ): 5.8nC
  • Rth(JC): 75 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

PMBFJ176,215

PMBFJ176,215

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:35 mA
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:30 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRFU5305

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 65mΩ
  • Qg(Typ): 42nC
  • Rth(JC): 1.4K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 89W
  • Id@TC 25C: -18A
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

PMBFJ177,215

PMBFJ177,215

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:20 mA
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:30 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRLU9343

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 105mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 170mΩ
  • Qg(Typ): 31nC
  • Rth(JC): 1.9K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 79W
  • Id@TC 25C: -14A
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF5803

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 112.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 190.0mΩ
  • Qg(Typ): 25.0nC
  • Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF7410PBF-1

IRF7410PBF-1

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -12V
  • Vgs: 8V
  • RDS(on) Max@4.5V: 7.0mΩ
  • Qg(Typ): 91.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF7420PBF-1

IRF7420PBF-1

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -12V
  • Vgs: 8V
  • RDS(on) Max@4.5V: 14.0mΩ
  • Qg(Typ): 38nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

J177_D27Z

J177_D27Z

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

J176

J176

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRFR6215

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 580.0mΩ
  • Qg(Typ): 44.0nC
  • Rth(JC): 1.4K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 110W
  • Id@TC 25C: 13A
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF5210L

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
  • Qg(Typ): 120.0nC
  • Rth(JC): 0.75K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 200W
  • Id@TC 25C: -40A
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

MMBFJ177

MMBFJ177

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF7342D2

IRF7342D2

電氣特性 Features

  • 集成肖特基二極管的P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 105.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 170.0mΩ
  • Qg(Typ): 26.0nC
  • Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管