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MMBFJ175

MMBFJ175

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-10 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFTS9342

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 40.0m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 66.0mΩ
  • Qg(Typ): 12.0nC
  • Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-10 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF7342D2

IRF7342D2

電氣特性 Features

  • 集成肖特基二極管的P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 105.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 170.0mΩ
  • Qg(Typ): 26.0nC
  • Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-10 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

MMBF5461

MMBF5461

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:40 V
Maximum Drain Gate Voltage:-40 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-10 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRLML2246TRPBF-1

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 135.0mΩ
  • Qg(Typ): 2.9nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-10 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF9333

IRF9333

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 19.4mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 32.5mΩ
  • Qg(Typ): 14.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-10 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF4905L

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 20.0mΩ
  • Qg(Typ): 120.0nC
  • Rth(JC): 0.75K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 200W
  • Id@TC 25C: -74A
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-10 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

2N5115JTXV02

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:30 V
Operating Temperature:-55 to 200 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-10 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRLML5203TRPBF-1

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 98.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 165.0mΩ
  • Qg(Typ): 9.5nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-10 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRLMS6702PBF-1

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 200.0mΩ
  • Qg(Typ): 5.8nC
  • Rth(JC): 75 (JA)K/W
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-10 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF7204

IRF7204

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 100.0mΩ
  • Qg(Typ): 25.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-10 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF7526D1

電氣特性 Features

  • 集成肖特基二極管的P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 200.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 400.0m?
  • Qg(Typ): 7.5nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-10 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

MMBFJ176

MMBFJ176

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-10 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

SI4435DY

SI4435DY

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 20.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 35.0mΩ
  • Qg(Typ): 40.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-10 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF6215

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 290.0mΩ
  • Qg(Typ): 44.0nC
  • Rth(JC): 1.4K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 110W
  • Id@TC 25C: -13A
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-10 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管