国产黄片自拍亚洲AV_国产素人搭讪精品视频_JIZZ少妇多水水蜜桃视频_日日躁夜夜躁狠狠躁aⅴ蜜_中国色猛少妇医院偷拍_日本不卡一级二级免费_黄色av免费观看_中文字幕无码第10页_永久免费A∨片在线观看天天影视综合网_五月天影院少妇av春色

IRF7380

IRF7380

電氣特性 Features

  • 雙N溝道MOS管
  • Vbrdss: 80V
  • Vgs(Max): 20V
  • Rth(JA): 50℃/W
雙N-雙P溝道MOS管 更新于 2025-12-18 Tag標(biāo)簽:雙N-雙P溝道MOS管

IRF9389

IRF9389

電氣特性 Features

  • 1N-1P雙溝道MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs(Max): 20V
  • RDS(on)@4.5V N-ch: 40.0mΩ
  • RDS(on)@4.5V P-ch: 103.0mΩ
  • RDS(on)@10V N-ch: 27.0mΩ
  • RDS(on)@10V P-ch: 64.0mΩ
  • Qg Typ N-ch: 6.8nC
  • Qg Typ P-ch: 8.1nC
  • Qgd Typ N-ch: 0.98nC
  • Qgd Typ P-ch: 2.1nC
  • Rth(JA): 62.5℃/W
雙N-雙P溝道MOS管 更新于 2025-12-18 Tag標(biāo)簽:雙N-雙P溝道MOS管

IRLHM630

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 12V
  • Id: 40A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-18 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRLML5203TRPBF-1

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 98.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 165.0mΩ
  • Qg(Typ): 9.5nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-18 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFBA1405P

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.0mΩ
  • Id: 174A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-18 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFH4209D

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.1mΩ
  • Id: 260A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-18 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRLB8743

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.2mΩ
  • Id: 150A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-18 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFIB41N15D

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 45.0mΩ
  • Id: 41A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-18 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF6645

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 35.0mΩ
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-18 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFZ44Z

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 13.9mΩ
  • Id: 51A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-18 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF7455

IRF7455

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@10V: 7.5mΩ
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-18 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF9530NS

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 200.0mΩ
  • Qg(Typ): 38.7nC
  • Rth(JC): 1.9K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 3.8W
  • Id@TC 25C: -14A
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-18 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF2807

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 13.0mΩ
  • Id: 82A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-18 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF9333

IRF9333

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 19.4mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 32.5mΩ
  • Qg(Typ): 14.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-18 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFB3207

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.5mΩ
  • Id: 180A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-18 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管