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IRFSL3206

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.0mΩ
  • Id: 210A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-18 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRLR8103V

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
  • Id: 89A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-18 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFH8325

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.0mΩ
  • Id: 82A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-18 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF8010

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 15.0mΩ
  • Id: 80A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-18 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFB7430

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.3mΩ
  • Id: 409A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-18 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFZ48NS

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 14.0mΩ
  • Id: 64A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-18 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF5805

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 98.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 165.0mΩ
  • Qg(Typ): 11.0nC
  • Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-18 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFH7446

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.3mΩ
  • Id: 117A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-18 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRLU3636

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 6.8mΩ
  • Id: 70A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-18 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF1104L

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
  • Id: 100A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-18 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFU120N

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 210mΩ
  • Id: 5.8A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-18 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFB7545

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.9mΩ
  • Id: 95A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-18 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFB7730

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.6mΩ
  • Id: 246A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-18 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF9Z34NS

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 100.0mΩ
  • Qg(Typ): 23.3nC
  • Rth(JC): 2.2K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 68W
  • Id@TC 25C: 19A
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-18 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF9Z34N

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 100.0mΩ
  • Qg(Typ): 23.3nC
  • Rth(JC): 2.7K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 56W
  • Id@TC 25C: -17A
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-18 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管