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IRGC4640B

電氣特性 Features

  • 超高速(8-30kHz)IGBT模塊
  • Vces: 600V
  • Ic@100℃: 40A
  • Vce(ON)@25℃(typ): 1.60V
IGBT管-IGBT模塊 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:IGBT管-IGBT模塊

SGP15N120

SGP15N120

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Collector Emitter Voltage:1200 V
Maximum Continuous Collector Current:30 A
Maximum Gate Emitter Voltage:±20 V
Mounting:Through Hole
IGBT管-IGBT模塊 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:IGBT管-IGBT模塊

IRGC4640F

電氣特性 Features

  • 超高速(8-30kHz)IGBT模塊
  • Vces: 600V
  • Vce(ON)@25℃(typ): 1.6V
IGBT管-IGBT模塊 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:IGBT管-IGBT模塊

STGD5NB120SZT4

STGD5NB120SZT4

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Collector Emitter Voltage:1200 V
Maximum Continuous Collector Current:10 A
Maximum Gate Emitter Voltage:±20 V
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
IGBT管-IGBT模塊 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:IGBT管-IGBT模塊

FGH30T65UPDT_F155

FGH30T65UPDT_F155

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Collector Emitter Voltage:650 V
Maximum Continuous Collector Current:60 A
Maximum Gate Emitter Voltage:±20 V
Mounting:Through Hole
Operating Temperature:-55 to 175 ℃
Rad Hard:No
IGBT管-IGBT模塊 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:IGBT管-IGBT模塊

IRGC4620B

電氣特性 Features

  • 超高速(8-30kHz)IGBT模塊
  • Vces: 600V
  • Ic@100℃: 20A
  • Vce(ON)@25℃(typ): 1.55V
IGBT管-IGBT模塊 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:IGBT管-IGBT模塊

IRGP20B120UD-E

電氣特性 Features

  • 超高速(8-30kHz)IGBT模塊
  • Vces: 1200V
  • Ic@100℃: 20A
  • Vce(ON)@25℃(typ): 3.05V
IGBT管-IGBT模塊 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:IGBT管-IGBT模塊

IRG4PH40KD

電氣特性 Features

  • 超高速(8-30kHz)IGBT模塊
  • Vces: 1200V
  • Ic@100℃: 15A
  • Vce(ON)@25℃(typ): 2.74V
IGBT管-IGBT模塊 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:IGBT管-IGBT模塊

IRGS4607DPBF

IRGS4607DPBF

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Collector Emitter Voltage:600 V
Maximum Continuous Collector Current:11 A
Maximum Gate Emitter Voltage:±20 V
Mounting:Surface Mount
Operating Temperature:-40 to 175 ℃
Rad Hard:No
IGBT管-IGBT模塊 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:IGBT管-IGBT模塊

IKP03N120H2XKSA1

IKP03N120H2XKSA1

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Collector Emitter Voltage:1200 V
Maximum Continuous Collector Current:9.6 A
Maximum Gate Emitter Voltage:±20 V
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
IGBT管-IGBT模塊 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:IGBT管-IGBT模塊

IRG7PSH54K10D

電氣特性 Features

  • 超高速(8-30kHz)IGBT模塊
  • Vces: 1200V
  • Ic@100℃: 65A
  • Vce(ON)@25℃(typ): 1.90V
IGBT管-IGBT模塊 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:IGBT管-IGBT模塊

IRG4BH20K-L

電氣特性 Features

  • 超高速(8-30kHz)IGBT模塊
  • Vces: 1200V
  • Ic@100℃: 5.0A
  • Vce(ON)@25℃(typ): 3.17V
IGBT管-IGBT模塊 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:IGBT管-IGBT模塊

IRGP4069D-EPBF

IRGP4069D-EPBF

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Collector Emitter Voltage:600 V
Maximum Continuous Collector Current:76 A
Maximum Gate Emitter Voltage:±20 V
Mounting:Through Hole
Operating Temperature:-55 to 175 ℃
Rad Hard:No
IGBT管-IGBT模塊 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:IGBT管-IGBT模塊

IRGB5B120KD

電氣特性 Features

  • 超高速(8-30kHz)IGBT模塊
  • Vces: 1200V
  • Ic@100℃: 6.0A
  • Vce(ON)@25℃(typ): 2.75V
IGBT管-IGBT模塊 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:IGBT管-IGBT模塊

IRG4PH50U

電氣特性 Features

  • 超高速(8-30kHz)IGBT模塊
  • Vces: 1200V
  • Ic@100℃: 24A
  • Vce(ON)@25℃(typ): 2.78V
IGBT管-IGBT模塊 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:IGBT管-IGBT模塊