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首頁(yè) > 產(chǎn)品展示 > 場(chǎng)效應(yīng)管(MosFET) > N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 IRF6612

IRF6612

更新于 2025-12-06

電氣特性 Features

N溝道功率MOS管
Vbrdss: 30V
Vgs: 20V
RDS(on) Max@10V: 3.3mΩ

Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

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