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IRFR18N15D

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 125.0mΩ
  • Id: 18A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRLH5036

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 4.4mΩ
  • Id: 100A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRLML6402TRPBF-1

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 65.0mΩ
  • Qg(Typ): 8.0nC
  • Rth(JC): 75 (JA)K/W
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFS3307Z

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.8mΩ
  • Id: 120A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRL3705NS

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 10.0mΩ
  • Id: 89A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF7389PBF-1

IRF7389PBF-1

電氣特性 Features

  • 1N-1P雙溝道MOS管
  • Vgs(Max): 20V
  • RDS(on)@4.5V N-ch: 46.0mΩ
  • RDS(on)@4.5V P-ch: 98.0mΩ
  • RDS(on)@10V N-ch: 29.0mΩ
  • RDS(on)@10V P-ch: 58.0mΩ
  • Qg Typ N-ch: 22.0nC
  • Qg Typ P-ch: 23.0nC
  • Qgd Typ N-ch: 6.4nC
  • Qgd Typ P-ch: 5.9nC
  • Rth(JA): 50℃/W
雙N-雙P溝道MOS管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:雙N-雙P溝道MOS管

IRL3103

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 12.0mΩ
  • Id: 56A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFS3607

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
  • Id: 80A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF9Z24N

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 175.0mΩ
  • Qg(Typ): 12.7nC
  • Rth(JC): 3.3K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 45W
  • Id@TC 25C: -12A
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFP4668

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 9.7mΩ
  • Id: 130A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFSL4321

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 15.0mΩ
  • Id: 83A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF1607

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.5mΩ
  • Id: 142A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF9395M

電氣特性 Features

  • 雙P溝道MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs(Max): 20V
  • RDS(on) Max@4.5V: 11.9mΩ
  • Rth(JA): 60℃/W
雙N-雙P溝道MOS管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:雙N-雙P溝道MOS管

IRFH5220

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 99.9mΩ
  • Id: 20A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRL3803

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 6.0mΩ
  • Id: 120A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管