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IRF8304M

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.2mΩ
  • Id: 170A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRF7809AVPBF-1

IRF7809AVPBF-1

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 12V
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRF520NS

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 200.0mΩ
  • Id: 9.5A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRF640N

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 150.0mΩ
  • Id: 18A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRF6633A

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.6mΩ
  • Id: 69A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRF6217PBF-1

IRF6217PBF-1

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2400.0mΩ
  • Qg(Typ): 6nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF540Z

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 26.5mΩ
  • Id: 36A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRF9520NS

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 480.0mΩ
  • Qg(Typ): 18.0nC
  • Rth(JC): 3.1K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 3.8W
  • Id@TC 25C: -6.8A
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRFB4615

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 39.0mΩ
  • Id: 35A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRFR5505

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 110.0mΩ
  • Qg(Typ): 21.3nC
  • Rth(JC): 2.2K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 57W
  • Id@TC 25C: -18A
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF7389PBF-1

IRF7389PBF-1

電氣特性 Features

  • 1N-1P雙溝道MOS管
  • Vgs(Max): 20V
  • RDS(on)@4.5V N-ch: 46.0mΩ
  • RDS(on)@4.5V P-ch: 98.0mΩ
  • RDS(on)@10V N-ch: 29.0mΩ
  • RDS(on)@10V P-ch: 58.0mΩ
  • Qg Typ N-ch: 22.0nC
  • Qg Typ P-ch: 23.0nC
  • Qgd Typ N-ch: 6.4nC
  • Qgd Typ P-ch: 5.9nC
  • Rth(JA): 50℃/W
雙N-雙P溝道MOS管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:雙N-雙P溝道MOS管

IRF7342PBF-1

IRF7342PBF-1

電氣特性 Features

  • 雙P溝道MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs(Max): 20V
  • RDS(on) Max@4.5V: 170mΩ
  • Rth(JA): 62.5℃/W
雙N-雙P溝道MOS管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:雙N-雙P溝道MOS管

IRF6645

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 35.0mΩ
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRFP4110

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.5mΩ
  • Id: 180A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRFR9120N

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 480.0mΩ
  • Qg(Typ): 18.0nC
  • Rth(JC): 3.2K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 39W
  • Id@TC 25C: -6.5A
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管